[发明专利]一种钽掺杂β氧化镓晶态材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201710061035.X | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108342775A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 夏长泰;赛青林;周威;齐红基 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B13/00;H01L31/032;B01J23/20 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;沈佳丽 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钽掺杂β氧化镓晶态材料及其制备方法和应用。该Ta掺杂β‑Ga2O3晶态材料属于单斜晶系，空间群为C2/m，电阻率在2.0×10‑4到1×104Ω·cm范围内和/或载流子浓度在5×1012到7×1020/cm3范围内。制备方法包括步骤：将纯度在4N以上的Ta2O5和Ga2O3混合后进行晶体生长即可。本发明采用常规工艺即可制备得到高电导率，呈n型导电特性的β‑Ga2O3晶态材料，为其在电力电子器件、光电子器件、光催化剂或导电衬底上的应用提供基础。 | ||
| 搜索关键词： | 晶态材料 制备方法和应用 氧化镓 钽掺杂 制备 载流子 电力电子器件 光电子器件 常规工艺 单斜晶系 高电导率 光催化剂 晶体生长 应用提供 电阻率 空间群 衬底 导电 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种Ta掺杂β‑Ga2O3晶态材料，属于单斜晶系，空间群为C2/m，所述Ta掺杂β‑Ga2O3晶态材料的电阻率在2.0×10‑4到1×104Ω·cm范围内和/或载流子浓度在5×1012到7×1020/cm3范围内。
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