[发明专利]半导体装置与其形成方法有效
| 申请号： | 201710061464.7 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN107026195B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 许家铭;周沛瑜;曹志彬;许光源;陈志辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/285;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置与其形成方法。半导体装置的形成方法中，第一接点孔形成于源极/漏极区或栅极上的一或多个介电层中。粘着层形成于第一接点孔中。第一金属层形成于第一接点孔中的粘着层上。硅化物层形成于第一金属层的上表面上。硅化物层包含的金属元素与第一金属层相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的形成方法，包括：形成一第一接点孔于一源极/漏极区或一栅极上的一或多个介电层中；形成一粘着层于该第一接点孔中；形成一第一金属层于该第一接点孔中的该粘着层上；以及形成一硅化物层于该第一金属层的上表面上，其中该硅化物层包含的金属元素与该第一金属层相同。
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