[发明专利]一种半导体器件的缺陷扫描方法及扫描装置有效
| 申请号： | 201710061545.7 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108364879B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 刘玄;伍强;刘畅;陈思思 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的缺陷扫描方法及扫描装置。所述方法包括：提供待检测晶圆；在所述待检测晶圆上方设置微透镜阵列；采用宽谱光源干涉的方法将所述微透镜阵列对焦进入检测距离的范围之内；对所述待检测晶圆成像并根据所述成像检测所述半导体器件是否存在缺陷。在本发明中选用微透镜阵进行成像，测量速度可以得到极大的提高，另外，选用宽谱光源干涉的对焦方法将所述微透镜阵列对焦进入检测距离范围之内，有效的完成了全阵列快速高精度对焦，提高缺陷扫描的准确度和速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 缺陷 扫描 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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