[发明专利]具有外质装置区无沟槽隔离的双极性接面晶体管有效
| 申请号： | 201710061621.4 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN107026196B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | R·玛拉迪;R·卡米洛-卡斯蒂洛 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有外质装置区无沟槽隔离的双极性接面晶体管，其揭示装置结构及用于装置结构的制造方法。在衬底中形成一或多个沟槽隔离区以围绕装置区。在该装置区上形成基极层。在该基极层上形成第一与第二发射极指。该装置区自该第一发射极指延展至该第二发射极指的第一部分无介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 装置 沟槽 隔离 极性 晶体管 | ||
【主权项】：
一种使用衬底形成的装置结构，该装置结构包含：位在该衬底中的一或多个沟槽隔离区，该一或多个沟槽隔离结构围绕装置区；位在该装置区上的基极层；以及位在该基极层上呈相隔关系的第一发射极指及第二发射极指，其中，在该装置区中该装置区自该第一发射极指延展至该第二发射极指的第一部分无介电材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710061621.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：指纹识别机
- 下一篇：壁挂(生肖、禄、禧图)
- 同类专利
- 专利分类
