[发明专利]基于差频超声和逆磁声耦合技术的脑神经刺激方法在审

专利信息
申请号: 201710062501.6 申请日: 2017-01-26
公开(公告)号: CN106669039A 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 殷涛;刘志朋;王贺;周晓青;王欣 申请(专利权)人: 中国医学科学院生物医学工程研究所
主分类号: A61N2/02 分类号: A61N2/02;A61N7/00
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 代理人: 杜文茹
地址: 300192 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种基于差频超声和逆磁声耦合技术的脑神经刺激方法,是一种结合高强度静磁场和两个不同频率的聚焦型超声换能器所进行的无创生物脑神经刺激方法,是将待刺激样本头部固定于静磁场中,将两个聚焦型超声换能器固定于样本头部,并使两个聚焦型超声换能器聚焦于待刺激样本大脑刺激部位;两个聚焦型超声换能器产生的不同频率电场,在聚焦位置产生一个低频的差频电场,所述差频电场为有效的用于刺激大脑神经的电场。本发明的基于差频超声和逆磁声耦合技术的脑神经刺激方法,由于通过差频超声和静磁场产生的低频电场进行脑神经刺激,可以实现精确定位的深部大脑神经刺激。是一种无创脑神经刺激方法,为脑科学相关的临床和科研领域提供一种新的方法。
搜索关键词: 基于 超声 逆磁声 耦合 技术 脑神经 刺激 方法
【主权项】:
一种基于差频超声和逆磁声耦合技术的脑神经刺激方法,是一种结合高强度静磁场和两个不同频率的聚焦型超声换能器所进行的无创生物脑神经刺激方法,其特征在于,是将待刺激样本头部固定于静磁场中,将两个聚焦型超声换能器固定于样本头部,并使两个聚焦型超声换能器聚焦于待刺激样本大脑刺激部位;两个聚焦型超声换能器产生的不同频率电场,在聚焦位置产生一个低频的差频电场,所述差频电场为有效的用于刺激大脑神经的电场。
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