[发明专利]包含倒四棱锥绒面结构的多晶硅片及其应用

摘要

本发明涉及多晶硅片的制绒结构及其应用，尤其涉及一种包含倒四棱锥绒面结构的多晶硅片及其在太阳能电池中的应用，属于太阳能电池技术领域。所述倒四棱锥组包括一种或多种高与底边边长的比为0.7‑6∶1的倒四棱锥；所述倒四棱锥结构的开口方向与其对应的晶粒的取向一致。本发明还进一步地提供了所述多晶硅片的制绒方法。

主权项

1.一种包含倒四棱锥绒面结构的多晶硅片，所述硅片表面随机分布有倒四棱锥组，其特征在于，所述倒四棱锥组包括一种或多种高与底边边长的比为1.2-4.4∶1的倒四棱锥；所述倒四棱锥结构的开口方向与其对应的晶粒的取向一致；所述倒四棱锥选自下列倒四棱锥中的一种或多种：1)一种高与底边边长的比为1.2-1.5∶1之间的倒四棱锥；2)和/或一种高与底边边长的比为1.9-2.3∶1之间的倒四棱锥；3)和/或一种高与底边边长的比为2.5-3.1∶1之间的倒四棱锥；4)和/或一种高与底边边长的比为3.2-3.7∶1之间的倒四棱锥；5)和/或一种高与底边边长的比为4.0-4.4∶1之间的倒四棱锥；所述包含倒四棱锥绒面结构的多晶硅片的制备方法，其包括：1)将多晶硅片放置于酸性制绒液中，在20℃～35℃下进行蚀刻1～10分钟，清洗去除硅片表面的金属离子；2)将清洗后具有倒四棱锥绒面结构的多晶硅片置于碱液中，在20℃～30℃条件下进行结构修饰5-90s，清洗即得；所述酸性制绒液中包含0.5-10mmol/L的银离子、10-200mmol/L的铜离子、1-8mol/L的HF和0.1-8mol/L的H2O2；其中，银离子和铜离子的摩尔比为1∶5-100。