[发明专利]肖特基二极管抗辐照能力无损筛选方法及装置有效

专利信息
申请号: 201710063090.2 申请日: 2017-01-19
公开(公告)号: CN106771953B 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 石强;李兆成 申请(专利权)人: 深圳市量为科技有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G06F17/11
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种肖特基二极管抗辐照能力无损筛选方法及装置,方法包括:获取辐照前作为随机子样的肖特基二极管的反向漏电流、反向击穿电压和噪声电压功率谱幅值;获取经过辐照后的作为随机子样的肖特基二极管的反向漏电流;计算辐照前后的反向漏电流退化量;以反向击穿电压和噪声电压功率谱幅值作为信息参数,以反向漏电流退化量作为辐照性能参数,建立多元线性回归方程,估计线性回归方程中的系数向量;建立无损筛选回归预测方程;利用所述无损筛选回归预测方程,预测单个器件的抗辐照性能。本发明能够实现在对肖特基二极管无损坏的前提下,进行对元器件准确、高效的抗辐照能力的测试筛选。
搜索关键词: 肖特基 二极管 辐照 能力 无损 筛选 方法 装置
【主权项】:
1.一种肖特基二极管抗辐照能力无损筛选方法,其特征在于,包括:获取辐照前作为随机子样的肖特基二极管的反向漏电流、反向击穿电压和噪声电压功率谱幅值;获取经过辐照后的所述作为随机子样的肖特基二极管的反向漏电流;基于辐照前的肖特基二极管的反向漏电流和经过辐照后的肖特基二极管的反向漏电流,计算辐前照后的反向漏电流退化量;对数据进行预处理,以所述反向击穿电压和噪声电压功率谱幅值作为信息参数,以所述反向漏电流退化量作为辐照性能参数,建立多元线性回归方程,并估计线性回归方程中的系数向量;基于所述系数向量,建立所述信息参数、噪声电压功率谱幅值和辐照性能参数之间的无损筛选回归预测方程;利用所述无损筛选回归预测方程,预测单个器件的抗辐照性能,对同批其他肖特基二极管器件进行筛选;其中,所述获取随机子样肖特基二极管的噪声电压功率谱幅值包括:设置肖特基二极管的偏置电流;在肖特基二极管两端引出噪声信号;对所述噪声信号进行前置放大,得到前置放大信号;采集所述前置放大信号,计算得到噪声电压功率谱幅值;其中,所述利用所述无损筛选回归预测方程,测试单个肖特基二极管的抗辐照性能,对同批肖特基二极管进行筛选,包括:获取待筛选肖特基二极管的反向击穿电压和低频噪声幅值;基于所述反向击穿电压和低频噪声幅值,利用所述回归预测方程,得到此肖特基二极管的反向漏电流退化量预测值;将所述反向漏电流退化量预测值和此批肖特基二极管的反向漏电流漂移容限进行比较,如果此预测值在此类肖特基二极管的反向漏电流漂移容限之内,则认为此肖特基二极管为合格产品;反之,如果得到的预测值落在此类肖特基二极管的反向漏电流漂移容限之外,则认为此肖特基二极管为不合格产品;其中,肖特基二极管抗辐照能力无损筛选装置,包括:第一获取单元,用于获取辐照前作为随机子样的肖特基二极管的反向漏电流、反向击穿电压和噪声电压功率谱幅值;第二获取单元,用于获取经过辐照后的所述作为随机子样的肖特基二极管的反向漏电流经过辐照后的;计算单元,用于基于辐照前的肖特基二极管的反向漏电流和经过辐照后的肖特基二极管的反向漏电流,计算辐前照后的反向漏电流退化量;线性回归方程建立单元,用于对数据进行预处理,以所述反向击穿电压和噪声电压功率谱幅值作为信息参数,以所述反向漏电流退化量作为辐照性能参数,建立多元线性回归方程,并估计线性回归方程中的系数向量;无损筛选回归预测方程建立单元,用于基于所述系数向量,建立所述信息参数、噪声电压功率谱幅值和辐照性能参数之间的无损筛选回归预测方程;测试单元,用于利用所述无损筛选回归预测方程,预测单个器件的抗辐照性能,对同批其他肖特基二极管器件进行筛选肖特基二极管。
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