[发明专利]储存和释放电能的层合装置有效
| 申请号： | 201710063133.7 | 申请日： | 2017-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN106653378B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 徐天骄;徐跃 | 申请（专利权）人： | 徐跃 |
| 主分类号： | H01G11/08 | 分类号： | H01G11/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226011 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种储存电能的层合装置，具有依次连接的第一集电体、第一半导体、介电体、第二半导体、第二集电体，所述的第一半导体与第二半导体可以是不同品种的半导体，第一集电体和第二集电体具有能够分别连接电源正极和负极的引出装置，介电体优选是介电常数为1000‑50000的钛酸盐类的陶瓷。储存电能的装置可以与其它元器件连接构成释放电能的装置。本发明具有耐高压、耐高低温、储存能量较大、寿命长久的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 储存 释放 电能 装置 | ||
【主权项】：
1.一种储存和释放电能的层合装置，其特征在于：具有依次连接的第一集电体、第一半导体、介电体、第二半导体、第二集电体；第一集电体和第二集电体具有能够分别连接电源正极和负极的引出装置，以便给本装置充电，充电后的正负电荷能够位于集电体内表面和分散于半导体内部空间中；/n所述的集电体为良导体制成；所述的半导体的主要成分为IVA族元素、IIA~VIA族元素的化合物或者IB~VIB族元素的化合物；所述的介电体为绝缘材料层制成；/n所述的第一半导体是N型半导体，第二半导体是P型半导体；或者，第一半导体是P型半导体，第二半导体是N型半导体；/n所述的集电体厚度介于1μm~5.0mm；绝缘材料层厚度介于0.01mm-10mm；半导体的厚度介于0.001μm~5mm；/n所述的半导体是N型半导体或者P型半导体；P型半导体为掺杂IIA或IIIA族元素的半导体，或者为主要含有IIA或IIIA族元素化合物、或IIIB~VB族元素化合物的半导体；N型半导体为掺杂VA或VIA族元素的半导体，或者为主要含有VA或VIA族元素化合物、IIIB~VB族元素化合物的半导体；它们的掺杂浓度介于10
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