[发明专利]鳍式场效应晶体管制造方法有效
| 申请号： | 201710063236.3 | 申请日： | 2017-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107046056B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 林文生;蒋振劼;郑志成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括衬底、多个隔离件以及栅极堆叠件。衬底包括多个沟槽和位于沟槽之间的至少一个半导体鳍。隔离件设置在沟槽中。半导体鳍包括在绝缘体之间嵌入的第一部分；设置在第一部分上的颈缩部分，该颈缩部分未被绝缘体覆盖；以及设置在颈缩部分上的第二部分，其中，颈缩部分的宽度小于第一部分的宽度。栅极堆叠件部分的覆盖半导体鳍、至少一个凹槽以及绝缘体。本发明实施例还提供一种用于制造鳍式场效应晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：衬底，所述衬底包括多个沟槽和位于所述沟槽之间的至少一个半导体鳍；位于所述沟槽中的多个绝缘体，其中，所述半导体鳍包括至少一个凹槽，所述至少一个凹槽位于所述半导体鳍的未被所述绝缘体覆盖的至少一个侧壁上；以及栅极堆叠件，所述栅极堆叠件部分地覆盖所述半导体鳍、所述至少一个凹槽以及所述绝缘体。
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