[发明专利]一种纳米叠层导电薄膜的制备方法及应用在审
申请号: | 201710063481.4 | 申请日: | 2017-02-03 |
公开(公告)号: | CN106981539A | 公开(公告)日: | 2017-07-25 |
发明(设计)人: | 李翔;黎微明;潘景伟 | 申请(专利权)人: | 江苏微导纳米装备科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068;C23C16/455;C23C16/40;C23C16/02 |
代理公司: | 南京知识律师事务所32207 | 代理人: | 朱少华,张芳 |
地址: | 214028 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明属于半导体器件领域,具体涉及太阳能电池制造领域,尤其涉及结合原子层沉积技术制备纳米叠层透明的导电薄膜的制备方法和在太阳能电池表面钝化及电流收集中的应用。针对现有的PERC电池技术的工艺流程,采用原子层沉积技术制备的金属氧化物纳米叠层导电薄膜作为钝化层,从而解决寄生电阻和接触电阻大的问题,提升电池转换效率,并且适用于大批量生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 导电 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种纳米叠层透明的导电薄膜的制备方法,其特征在于:采用原子层沉积技术进行制备,具体包括如下主要的步骤:(1)将去背结清洗过后的硅电池片装载进入镀膜的腔体,需镀膜的面在腔体内呈暴露状态,不需要镀膜的面进行遮挡;(2)腔体抽真空并保持腔体内的工艺真空不变,加热使腔体内的温度达到所需要的工艺温度;(3)循环1~200次Al2O3的沉积作为过渡层;(4)循环n1次ZnO的沉积,循环n2次Al2O3的沉积,其中n1、n2均为非零正整数;(5)重复步骤(4),直到制备出所需厚度的纳米叠层导电薄膜;(6)腔体直接降温或增加退火步骤后降温,破真空,取出硅电池片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏微导纳米装备科技有限公司,未经江苏微导纳米装备科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710063481.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:积木拼装式数控车铣复合机床
- 下一篇:门套数控锯切铣形机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的