[发明专利]一种基于STT‑MTJ的MRAM单元控制电路在审
申请号: | 201710063686.2 | 申请日: | 2017-02-03 |
公开(公告)号: | CN106782640A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 张一平;王子欧;季爱明;张立军;李有忠 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于STT‑MTJ的MRAM单元控制电路,其包括第一字线逻辑电路、负脉冲产生电路、第二字线控制电路、第一反相器和第二反相器;所述第一字线逻辑电路的输出端连接到第一反相器的输入端,所述第一反相器的输出端连接到第一字线,所述第一反相器的接地端连接到负脉冲产生电路;所述第二字线控制电路的输出端连接到第二反相器的输入端,所述第二反相器的输出端连接到第二字线。本发明能够补偿写0过程电流,从而有效避免写0过程产生误操作。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 stt mtj mram 单元 控制电路 | ||
【主权项】:
一种基于STT‑MTJ的MRAM单元控制电路,其特征在于:其包括第一字线逻辑电路、负脉冲产生电路、第二字线控制电路、第一反相器和第二反相器;所述第一字线逻辑电路的输出端连接到第一反相器的输入端,所述第一反相器的输出端连接到第一字线,所述第一反相器的接地端连接到负脉冲产生电路;所述第二字线控制电路的输出端连接到第二反相器的输入端,所述第二反相器的输出端连接到第二字线。
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