[发明专利]半导体存储装置以及其制作方法

摘要

本发明涉及一种半导体存储装置以及其制作方法。在半导体基底上形成至少一位线结构，位线结构包括第一金属层、位线盖层与位于第一金属层以及位线盖层之间的第一硅层。形成一位线接触开孔贯穿位线盖层而暴露出部分的第一硅层，在位线接触开孔所暴露出的第一硅层上形成第一金属硅化物层，并于位线接触开孔中形成位线接触结构。位线接触结构接触第一金属硅化物层，用以与位线结构电连接。位线结构中的第一硅层可用以保护第一金属层，避免第一金属层于形成金属硅化物层的制作工艺中遭到破坏。

主权项

1.一种半导体存储装置的制作方法，包括：提供一半导体基底；在该半导体基底上形成至少一位线结构，该位线结构包括：第一金属层；位线盖层，位于该第一金属层上；以及第一硅层，位于该第一金属层以及该位线盖层之间；形成至少一位线接触开孔，贯穿该位线盖层而暴露出部分的该第一硅层；在该位线接触开孔所暴露出的该第一硅层上形成一第一金属硅化物层；以及在该位线接触开孔中形成一位线接触结构，其中该位线接触结构接触该第一金属硅化物层，用以与该位线结构电连接。