[发明专利]功率半导体器件负载端子有效
| 申请号： | 201710063711.7 | 申请日： | 2017-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107039382B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 罗曼·罗特;弗兰克·希勒;汉斯-约阿希姆·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐京桥;李春晖 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件负载端子。根据本发明的功率半导体器件包括：第一负载端子结构和与所述第一负载端子结构分开布置的第二负载端子结构；以及半导体结构，其电耦接到第一负载端子结构和第二负载端子结构中的每一个，并且被配置成承载负载电流，其中，第一负载端子结构包括：与所述半导体结构接触的导电层；接合块，其被配置成由至少接合线的端部接触，并且接收来自至少一条接合线和导电层中的至少一个的负载电流的至少一部分；支承块，其硬度大于导电层和接合块中的每一个的硬度，其中，接合块经由支承块安装在导电层上；以及设置在导电层和接合块中的至少一个内的区域，所述区域具有氮原子。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 负载 端子 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件(1)，包括：第一负载端子结构(11)和与所述第一负载端子结构(11)分开布置的第二负载端子结构(12)；以及半导体结构(10)，其电耦接到所述第一负载端子结构(11)和所述第二负载端子结构(12)中的每一个，并且被配置成承载负载电流，其中，所述第一负载端子结构(11)包括：与所述半导体结构(10)接触的导电层(111)；接合块(112)，其被配置成：由至少一条接合线(3)的端部(31)接触，并且接收来自所述至少一条接合线(3)和所述导电层(111)中的至少一个的负载电流的至少一部分，支承块(113)，其硬度大于所述导电层(111)和所述接合块(112)中的每一个的硬度，其中，所述接合块(112)经由所述支承块(113)安装在所述导电层(111)上；以及布置在所述导电层(111)和所述接合块(112)中的至少一个内的区域，所述区域具有氮原子，其中，所述接合块(112)和所述导电层(111)包括铜，并且其中，所述支承块(113)在与所述负载电流的流动方向平行的方向上的厚度小于所述接合块(112)在与所述负载电流的流动方向平行的方向上的厚度的十分之一。
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