[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710063795.4 | 申请日： | 2017-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN108389796A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王彦;蒋鑫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/033;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成图形化的核心层；形成保形覆盖基底和核心层的第一侧墙膜；在H2或He氛围下，对第一侧墙膜进行等离子体处理；在等离子体处理后，采用湿法刻蚀工艺去除基底和核心层顶部的第一侧墙膜，位于核心层侧壁上的剩余第一侧墙膜作为第一侧墙；去除核心层；以第一侧墙为掩膜刻蚀基底。采用等离子体处理与湿法刻蚀的方式相结合的方法，使第一侧墙的顶部为平坦面，且对基底刻蚀损耗较小；因此可以改善刻蚀气体收集角度问题以及pitch walking问题，从而提高刻蚀基底所形成目标图形的质量，进而提高所形成半导体结构的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 侧墙 基底 核心层 等离子体处理 半导体结构 刻蚀 湿法刻蚀 去除 保形覆盖 角度问题 刻蚀气体 目标图形 平坦面 图形化 侧壁 良率 掩膜 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成图形化的核心层；形成保形覆盖所述基底和核心层的第一侧墙膜；在H2或He氛围下，对所述第一侧墙膜进行等离子体处理；在等离子体处理后，采用湿法刻蚀工艺去除所述基底和核心层顶部的第一侧墙膜，位于所述核心层侧壁上的剩余第一侧墙膜作为第一侧墙；形成所述第一侧墙后，去除所述核心层；去除所述核心层后，以所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
