[发明专利]超薄封装元件的制作工艺有效
申请号: | 201710063954.0 | 申请日: | 2017-02-04 |
公开(公告)号: | CN106653625B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 郭玉兵 | 申请(专利权)人: | 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L21/66 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬;郑明星 |
地址: | 213000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种超薄封装元件的制作工艺,包括如下步骤:框架设计制造,装片,焊线,等离子清洗,塑封固化,化学去框架底板,切割分离,测试包装。本发明设计新颖,采用特殊的框架设计方式,装片和焊线功能区域可根据结构需要设计不同形状并通过电镀形成,最终成型后的产品内部没有框架。该种工艺容易实现各种复杂结构的封装要求,设备工装通用性强,封装工艺难度低,产品厚度可实现超薄型化。 | ||
搜索关键词: | 超薄 封装 元件 制作 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种超薄封装元件的制作工艺,其特征在于,包括如下步骤:a、框架设计制造采用厚度0.1mm的铜板或不锈钢板材料通过多层电镀方式制成作为底板,在底板上通过干膜光刻掩膜,按顺序分别电镀厚度控制在0.03~0.05um的Au层、厚度60~80um的Ni层和厚度1.5~3umAg层,形成组装功能区,用于芯片的安装和焊线的焊点;b、装片采用共晶或银胶或绝缘胶中的任一种装片工艺,完成芯片安装,装片后进行加温烧结,烧结后进行等离子清洗去除烧结过程中的银胶、绝缘胶产生的挥发物;c、焊线采用球焊工艺进行焊接,球焊工艺中选用金线、合金线或者铜线等焊接材料,采用合金线和铜线生产在焊接过程中增加氮氢混合气进行保护,防止球氧化造成焊接不良;d、等离子清洗进行等离子清洗,保证产品在塑封前的表面清洁;e、塑封固化产品装入塑封模具,加入环氧树脂包裹成型,使产品内部的芯片和焊线能够安全地保护,塑封后的产品经过高温150~175℃烘烤4~8小时,使环氧树脂内部结构能够充分反应;f、化学去框架底板产品放进腐蚀液中进行腐蚀,框架底板材料在腐蚀液中被腐蚀掉,而与底板接触的镀金层由于耐腐蚀性未被腐蚀,去除框架底板后产品的底部全部露出镀金层凸点,用于产品后续与PCB板之间的焊接;g、切割分离将去除底板后的产品粘贴在UV上,按照产品设计的尺寸大小及外露的镀金层凸点之间的间距采用切割设备进行切割分离,切割后进行UV照射并使产品从UV上分离开,通过清洗并干燥烘干;h、测试、包装根据产品的电性规定设定测试程序进行电性能参数测试,通过测试合格产品按照印章内容要求MARK打印,并对测试打印后产品进行外观检测通过后进行编带包装,形成合格成品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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