[发明专利]一种功率器件及其工艺方法有效
| 申请号： | 201710065005.6 | 申请日： | 2017-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN106876323B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 朱明皓;李瑞钢 | 申请（专利权）人： | 智瑞佳（苏州）半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人： | 丁秀华 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种功率器件，其包括半导体材料层、位于所述半导体材料层上的源极、栅极和漏极、氧化层、钝化层和漂移区场板，其还包括隔离介质层，所述隔离介质层位于所述半导体层上，处于所述栅极和所述漏极之间，所述氧化层覆盖所述源极、漏极及除所述栅极和所述隔离介质层外的所述半导体材料层，所述钝化层覆盖氧化层及栅极，所述漂移区场板自所述栅极上方的钝化层延伸至所述隔离介质层，并完全覆盖所述隔离介质层。本发明的功率器件通过隔离介质层隔离漂移区场板与半导体材料层，隔离介质层可以选择隔离介质的组成比例，介质生长厚度等，不受标准工艺的限制，可以大大改善漂移区场板对漂移区电场的调节能力，极大的提高功率器件的耐压和输出电流水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 及其 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件，其包括半导体材料层、位于所述半导体材料层上的源极、栅极和漏极、氧化层、钝化层和漂移区场板，其特征在于：其还包括隔离介质层，所述隔离介质层位于所述半导体层上，处于所述栅极和所述漏极之间，所述氧化层覆盖所述源极、漏极及除所述栅极和所述隔离介质层外的所述半导体材料层，所述钝化层覆盖氧化层及栅极，所述漂移区场板自所述栅极上方的钝化层延伸至所述隔离介质层，并完全覆盖所述隔离介质层，所述隔离介质层采用分子束外延技术生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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