[发明专利]制造垂直存储器装置的方法有效
申请号: | 201710065305.4 | 申请日: | 2017-02-06 |
公开(公告)号: | CN107204341B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 金基元;金成勋;孙在翼 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11582 | 分类号: | H01L27/11582;H01L27/11556 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;田野 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种制造垂直存储器装置的方法,所述方法包括基于每个沟道孔和与其相邻的隔离区之间的距离、多个沟道孔在布局中的形状、多个沟道孔在布局中的坐标中的至少一个,将包括在垂直存储器装置的布局中的多个沟道孔划分为多种类型。识别连接到包括在布局中的多条位线中的每条位线的沟道孔的类型,以及基于针对每条位线确定的沟道孔的类型来确定多条位线的负载是否均衡。 | ||
搜索关键词: | 制造 垂直 存储器 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种制造垂直存储器装置的方法,所述方法包括:基于每个沟道孔和与其相邻的隔离区之间的距离、多个沟道孔在布局中的形状和所述多个沟道孔在布局中的坐标中的至少一个,将垂直存储器装置的布局中的所述多个沟道孔划分为多种类型;识别连接到布局中的多条位线中的每条位线的沟道孔的类型;基于针对每条位线识别的沟道孔的类型,验证所述多条位线的负载是否均衡;在验证到位线的负载均衡时,基于布局制造用于垂直存储器装置的蚀刻掩模;以及通过蚀刻已经应用了蚀刻掩模的多层器件来制造垂直存储器装置,其中,在所制造的垂直存储器装置内的位线的负载是均衡的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的