[发明专利]制造垂直存储器装置的方法有效

专利信息
申请号: 201710065305.4 申请日: 2017-02-06
公开(公告)号: CN107204341B 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 金基元;金成勋;孙在翼 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11582 分类号: H01L27/11582;H01L27/11556
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;田野
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种制造垂直存储器装置的方法,所述方法包括基于每个沟道孔和与其相邻的隔离区之间的距离、多个沟道孔在布局中的形状、多个沟道孔在布局中的坐标中的至少一个,将包括在垂直存储器装置的布局中的多个沟道孔划分为多种类型。识别连接到包括在布局中的多条位线中的每条位线的沟道孔的类型,以及基于针对每条位线确定的沟道孔的类型来确定多条位线的负载是否均衡。
搜索关键词: 制造 垂直 存储器 装置 方法
【主权项】:
一种制造垂直存储器装置的方法,所述方法包括:基于每个沟道孔和与其相邻的隔离区之间的距离、多个沟道孔在布局中的形状和所述多个沟道孔在布局中的坐标中的至少一个,将垂直存储器装置的布局中的所述多个沟道孔划分为多种类型;识别连接到布局中的多条位线中的每条位线的沟道孔的类型;基于针对每条位线识别的沟道孔的类型,验证所述多条位线的负载是否均衡;在验证到位线的负载均衡时,基于布局制造用于垂直存储器装置的蚀刻掩模;以及通过蚀刻已经应用了蚀刻掩模的多层器件来制造垂直存储器装置,其中,在所制造的垂直存储器装置内的位线的负载是均衡的。
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