[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底的光刻方法在审
申请号: | 201710065512.X | 申请日: | 2017-02-06 |
公开(公告)号: | CN106601601A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 仇凯弘 | 申请(专利权)人: | 福建中晶科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 364000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底的光刻方法,包括以下步骤在图形化蓝宝石衬底上沉积一层薄膜,并对其进行微粒清除及低温烘干处理;在旋转加速度不变的情况下,将液态光刻胶和增粘剂滴加到衬底薄膜层面中间,将液体光刻胶均匀覆盖在晶片表面,并进行烘烤,形成光刻胶膜;将掩膜版上的图形文件投影到衬底光刻胶膜上,设定曝光条件,进行曝光处理;在旋转加速度不变的情况下,将显影液喷涂在衬底光刻胶膜表面进行显影处理,显影完成后对其进行显影检查。本发明具有曝光精度级别高,工艺重复性好,线位错密度低、内量子密度高、分辨率高,成品合格率与成品率高的特点,所得成品图形尺寸准确、且完整性好,性能稳定,应用前景广阔。 | ||
搜索关键词: | 一种 图形 蓝宝石 衬底 光刻 方法 | ||
【主权项】:
一种图形化蓝宝石衬底的光刻方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、利用等离子体增强化学气相沉积技术,在图形化蓝宝石衬底上沉积一层薄膜,并对薄膜表面的微粒进行清除,并进行低温烘干处理;S2、在旋转速度为1000~6000RPM,且旋转加速度不变的情况下,将液态光刻胶和增粘剂按质量比为1:0.02~0.06滴加到衬底薄膜层面中间,利用离心力,将液体光刻胶均匀覆盖在晶片表面,然后将带有光刻胶的衬底放在热板上进行烘烤,烘烤温度为80~110℃,烘烤时间为30~90s,形成厚度为0.8~1.2μm的光刻胶膜;S3、保持掩膜版与衬底的距离为2~4cm,将掩膜版上的图形文件投影到衬底光刻胶膜上,设定曝光条件,利用步进式高精度曝光机先对掩膜版上的图形文件进行部分成像曝光,然后利用扫描或分布重复的方法完成对掩膜版上所有图形文件的曝光;S4、在旋转速度为300~600RPM,且旋转加速度不变的情况下,将显影液喷涂在步骤S3中曝光后的衬底光刻胶膜表面进行显影处理,将掩膜版上的图形文件转移到衬底光刻胶膜表面,显影完成后对其进行显影检查。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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