[发明专利]单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器及其制作方法

摘要

本发明提供一种单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器及其制作方法，其中，制作方法至少包括如下步骤：提供一上硅片、一下硅片，分别制作上电极盖板和下电极盖板；提供一中间硅片，于所述中间硅片的上表面和下表面预先形成未释放的折叠梁‑质量块结构，然后释放所述折叠梁‑质量块结构，从而形成中间电极；将所述上电极盖板和所述下电极盖板分别与所述中间电极对准并键合在一起；于所述上电极盖板上形成中间电极引线溅射槽；于所述上电极盖板上表面的选定区域、所述中间电极引线溅射槽内及所述下电极盖板下表面的选定区域形成焊盘。本发明利用单层硅片实现了双面对称的折叠弹性梁‑质量块结构的设计及制作，制作工艺简单可控。

主权项

1.一种单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器的制作方法，其特征在于，所述单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器的制作方法至少包括如下步骤：提供一上硅片、一下硅片，采用所述上硅片和所述下硅片分别制作上电极盖板和下电极盖板；提供一中间硅片，于所述中间硅片的上表面和下表面预先形成未释放的折叠梁‑质量块结构，然后释放所述折叠梁‑质量块结构，从而形成带有所述折叠梁‑质量块结构的中间电极；其中，所述折叠梁‑质量块结构至少包括位于所述中间电极中间的质量块，与所述质量块连接的八根折叠梁，八根折叠弹性梁对称分布在所述质量块的上、下两面边缘，该步骤包括：于所述中间硅片的上表面和下表面分别形成所述折叠梁‑质量块结构的光刻胶掩膜；通过所述光刻胶掩膜对所述中间硅片的上表面和下表面分别进行刻蚀工艺，形成未释放的折叠梁‑质量块结构；去除所述光刻胶掩膜；对所述中间硅片的上表面和下表面分别进行氧化、光刻及腐蚀工艺，在所述上表面和下表面分别形成用于释放所述折叠梁‑质量块结构的第三氧化层掩膜；通过所述第三氧化层掩膜对所述中间硅片的上表面和下表面进行腐蚀工艺，直至暴露所述折叠梁；去除所述第三氧化层掩膜，形成可动的折叠梁‑质量块结构，从而得到带有所述折叠梁‑质量块结构的中间电极；将所述上电极盖板的下表面和所述下电极盖板的上表面分别与所述中间电极的上表面和下表面对准并键合在一起，从而形成三层键合的差分电容式结构；于所述上电极盖板上形成中间电极引线溅射槽，以引出所述中间电极；于所述上电极盖板上表面的选定区域、所述中间电极引线溅射槽内及所述下电极盖板下表面的选定区域形成焊盘；所述上硅片、中间硅片和下硅片均采用双面抛光低阻硅片。