[发明专利]三维集成电路封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201710067385.7 | 申请日： | 2017-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108206176A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 林柏均 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;丛芳 |
| 地址： | 中国台湾桃园市龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维集成电路(three dimensional integrated circuit；3DIC)封装及其制造方法，三维集成电路封装包含重分布层、多个半导体晶片与多个电性凸块。重分布层具有第一表面以及第二表面，重分布层具有钝化材料。半导体晶片垂直地及顺序地堆叠在第一表面上。电性凸块设置于第二表面并通过重分布层电性连接半导体晶片。三维集成电路能有效减少三维集成电路封装的外观造型规格(form factor)。 | ||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 重分布层 封装 半导体晶片 第二表面 第一表面 电性 电性连接 钝化材料 凸块设置 外观造型 有效减少 垂直地 堆叠 凸块 制造 | ||
【主权项】：
1.一种三维集成电路封装，其特征在于，包含：重分布层，具有第一表面以及第二表面，所述重分布层具有钝化材料；多个半导体晶片，垂直地及顺序地堆叠在所述第一表面上；以及多个电性凸块，设置于所述第二表面并通过所述重分布层电性连接所述多个半导体晶片。
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