[发明专利]一种制备金属硫族化合物半导体超细超长纳米线的方法及所制备的特征纳米线有效
| 申请号： | 201710067533.5 | 申请日： | 2017-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108394872B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李运超;李冬;邢观洁;唐世霖 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;C01G9/08 |
| 代理公司： | 北京法信智言知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11737 | 代理人： | 刘静荣 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米材料合成领域，具体涉及一种制备金属硫族化合物半导体超细超长纳米线的方法及制备的纳米线。所述方法包括步骤：制备金属前驱体和非金属前驱体；将金属前驱体和非金属前驱体溶液放入高压釜中，在优化的反应条件下进行溶剂热反应，即可得到金属硫族化合物半导体超细超长纳米线。本发明的合成方法具有普适性，利用该方法可合成出多种不同的金属硫族化合物半导体超细超长纳米线；所制备的半导体纳米线，形貌均一、结晶性好，线径小于5nm且长径比大于300，具有显著的量子限域效应，是纳米光电器件理想的构筑单元。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 金属 化合物 半导体 超长 纳米 方法 特征 | ||
【主权项】：
1.一种制备金属硫族化合物半导体超细超长纳米线的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：制备金属前驱体：将金属前驱体溶解在有机配体溶液中，在惰性气体保护下，搅拌、加热至澄清，降温后得到金属前驱体溶液，所述金属前驱体包括无机锌盐、镉盐、铅盐或银盐；制备非金属前驱体：将非金属前驱体溶解在有机配体溶液中，在惰性气体保护下，搅拌、加热至澄清，降温后得到非金属前驱体溶液，所述非金属前驱体包括碲源、硒源或硫源；合成金属硫族化合物半导体超细超长纳米线：将制备的金属前驱体和制备的非金属前驱体溶液放入高压釜中，进行溶剂热反应，即可得到金属硫族化合物半导体超细超长纳米线，其线径小于3nm，且其长径比大于1000。
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