[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201710067648.4 | 申请日： | 2017-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN107046063A | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 观田康克 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法。根据本实施方式，提供一种薄膜晶体管的制造方法，其中，在第1绝缘膜上形成氧化物半导体层，在上述氧化物半导体层上形成由钼或钼合金构成的第1导电层，在上述第1导电层上形成第2导电层，在上述第2导电层上形成抗蚀剂掩模，利用上述抗蚀剂掩模，对上述第2导电层进行干式蚀刻，由此形成第1导电部及第2导电部。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，其中，在第1绝缘膜上形成氧化物半导体层，在所述氧化物半导体层上形成由钼或钼合金构成的第1导电层，在所述第1导电层上形成第2导电层，在所述第2导电层上形成抗蚀剂掩模，利用所述抗蚀剂掩模，对所述第2导电层进行干式蚀刻，由此形成第1导电部及第2导电部。
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