[发明专利]一种侧蚀小的铜蚀刻液在审
申请号: | 201710068593.9 | 申请日: | 2017-02-08 |
公开(公告)号: | CN106757029A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 杜冰;顾群艳;梁豹;鲍杰;赵建龙;张兵;向文胜;朱坤 | 申请(专利权)人: | 昆山艾森半导体材料有限公司 |
主分类号: | C23F1/18 | 分类号: | C23F1/18 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于半导体加工技术领域,涉及一种侧蚀小的铜蚀刻液,其配方包括1‑15wt%过氧化氢,1‑25wt%无机酸,1‑20wt%有机酸,1‑30wt%盐类,0.5‑2wt%表面活性剂以及余量的去离子水;表面活性剂为聚二甲基硅氧烷、聚乙二醇甲醚、聚氧乙烯聚氧丙烯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚、四甲基癸炔二醇中的一种。本发明铜蚀刻液蚀刻均匀,降低了侧蚀现象,而且不会形成泡沫,稳定性好。 | ||
搜索关键词: | 一种 侧蚀小 蚀刻 | ||
【主权项】:
一种侧蚀小的铜蚀刻液,其特征在于配方包括:1‑15wt%过氧化氢,1‑25wt%无机酸,1‑20wt%有机酸,1‑30wt%盐类,0.5‑2wt%表面活性剂以及余量的去离子水;表面活性剂为聚二甲基硅氧烷、聚乙二醇甲醚、聚氧乙烯聚氧丙烯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚、四甲基癸炔二醇中的一种。
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