[发明专利]SONOS工艺方法

摘要

本发明公开一种的SONOS工艺方法包括如下步骤提供一硅衬底，在存储单元管的形成区域形成ONO层；进入炉管在所述选择管的形成区域生长栅氧化层，淀积多晶硅，并定义形成存储单元管的栅极及选择管的栅极；采用LDD注入的掩膜版对存储单元管和选择管进行LDD注入，然后在先不去除光刻胶的情况下继续进行存储单元管的栅极以外的ONO去除，最后再去除光刻胶；进行侧墙沉积，完成侧墙刻蚀；对存储单元管及选择管进行重掺杂的源漏注入。本发明在不增加掩膜版的条件下，避免对其它逻辑区域的影响的同时，还能更好的控制和减少ONO去除时的残余氧化层损失及硅损伤，使存储单元管和选择管可分开调整以使器件最优化，能提高器件的可靠性，简化侧墙刻蚀工艺。

主权项

一种SONOS工艺方法，其中SONOS器件的单元结构包括一个存储单元管和一个选择管，所述方法包括以下步骤：步骤一、提供一硅衬底，在所述存储单元管的形成区域形成ONO层；进入炉管在所述选择管的形成区域生长栅氧化层，淀积多晶硅并定义栅极；步骤二、采用存储单元LDD注入的掩膜版对所述存储单元管和所述选择管进行LDD注入，然后在先不去除光刻胶的情况下继续进行存储单元管的栅极以外的ONO去除，最后再去除光刻胶；步骤三、进行侧墙沉积，完成侧墙刻蚀；步骤四、对存储单元管及选择管进行重掺杂的源漏注入。