[发明专利]超结器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超结器件，超结器件单元包括：沟槽栅，形成于N型柱顶部；在沟槽栅两侧形成有沟道区；源区形成于所述沟道区表面，漏区形成于超结结构的底部；在沟槽栅的底部形成有P型表面埋层，P型表面埋层和沟槽栅的底部接触，电荷流动区中设置有和P型表面埋层接触的P型环。在超结器件反向击穿时P型表面埋层形成一条反向空穴雪崩电流的路径，从而减小沟槽栅对反向空穴雪崩电流的聚集能力并从而提高器件的UIS能力。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能提高器件的UIS能力，能减少器件的Cgd从而降低器件的开关损耗，工艺成本低。

主权项

1.一种超结器件，其特征在于：超结器件的中间区域为电荷流动区，终端保护区形成于所述电荷流动区的周侧，过渡区位于所述终端保护区和所述电荷流动区之间；超结结构由多个N型柱和P型柱交替排列组成，一个所述N型柱和相邻的一个所述P型柱组成一个超结单元；在所述电荷流动区中一个所述超结单元中形成有一个所述超结器件单元，所述超结器件单元包括：沟槽栅，包括形成于所述N型柱顶部的栅极沟槽、形成于所述栅极沟槽底部表面和侧面的栅介质层以及填充于所述栅极沟槽中的多晶硅栅；在所述沟槽栅两侧形成有由P阱组成的沟道区，所述沟道区还延伸到所述P型柱的顶部；被所述多晶硅栅侧面覆盖的所述沟道区的表面用于形成沟道；由N+区组成的源区形成于所述沟道区表面，由N+区组成的漏区形成于所述超结结构的底部；所述源区的顶部通过接触孔连接到由正面金属层组成的源极，所述多晶硅栅的顶部通过接触孔连接到由正面金属层组成的栅极；在所述沟槽栅的底部形成有P型表面埋层，所述P型表面埋层和所述沟槽栅的底部接触，在所述超结器件反向击穿时所述P型表面埋层形成一条反向空穴雪崩电流的路径，从而减小所述沟槽栅对反向空穴雪崩电流的聚集能力并从而提高器件的UIS能力；所述过渡区的表面形成有第一P型环，所述第一P型环环绕在所述电荷流动区的周侧，各所述超结器件单元的所述P型表面埋层延伸到所述过渡区中并和所述第一P型环接触，所述第一P型环接触的顶部通过接触孔连接到所述源极，所述反向空穴雪崩电流的路径包括由所述P型表面埋层、所述第一P型环以及所述源极连接形成的电连接路径。