[发明专利]一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件在审
| 申请号： | 201710069158.8 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108400087A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/208;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市唐家湾镇港湾大*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件，通过在氮化镓薄膜和硅衬底之间生长第一、第二氮化铝层和缓冲层作为中间层，以抑制镓与硅之间产生反应；并且，通过在第二氮化铝层与氮化镓薄膜之间生长缓冲层，使得第二氮化铝层和氮化镓薄膜的晶格常数、热膨胀系数等物理特性能够协调连接；以及，通过制作第一纳米结构绒面和第二纳米结构绒面而保证生长的第一、第二氮化铝层的品质高；综合上述因素，以最终保证氮化镓薄膜品质高。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓薄膜 氮化铝层 生长 硅衬底 功率器件 纳米结构 缓冲层 绒面 热膨胀系数 晶格常数 物理特性 中间层 保证 制作 协调 | ||
【主权项】：
1.一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，其特征在于，包括：提供一硅衬底；采用湿法刻蚀工艺对所述硅衬底的生长面进行刻蚀为第一纳米结构绒面；在所述硅衬底的生长面一侧制备第一氮化铝层；采用湿法刻蚀工艺对所述第一氮化铝层背离所述硅衬底一侧表面进行刻蚀为第二纳米结构绒面；在所述第一氮化铝层背离所述硅衬底一侧制备第二氮化铝层，所述第二氮化铝层背离所述硅衬底一侧表面为光滑表面；在所述第二氮化铝层背离所述硅衬底一侧制备缓冲层；在所述缓冲层背离所述硅衬底一侧制备氮化镓薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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