[发明专利]具有双侧冷却的功率模块封装在审
| 申请号： | 201710069208.2 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN107123624A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 涩谷诚 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有双侧冷却的功率模块封装。多芯片封装包含安装在第一引线框(310)上的第一半导体装置(301)，其中所述第一半导体装置的主要产热表面朝向所述第一引线框的散热区域(312)定向且接触所述散热区域(312)。第二半导体装置(302)被安装于第二引线框(320)上，其中所述第二半导体装置的主要产热表面朝向所述第二引线框的散热区域(322)定向且接触所述散热区域(322)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 冷却 功率 模块 封装 | ||
【主权项】：
一种多芯片封装，其包括：第一半导体装置，其被安装于第一引线框上，其中所述第一半导体装置的主要产热表面朝向所述第一引线框的散热区域定向且接触所述散热区域；第二半导体装置，其被安装于第二引线框上，其中所述第二半导体装置的主要产热表面朝向所述第二引线框的散热区域定向且接触所述散热区域；其中所述第一引线框是与突出接触区域共面的经蚀刻的引线框，且所述第二引线框是与接触所述第一引线框上的对应突出接触区域的突出接触区域共面的经蚀刻的引线框；且其中所述第一引线框的所述散热区域的表面被暴露于所述多芯片封装的第一侧上，且所述第二引线框的所述散热区域的表面被暴露于所述所芯片封装的与所述第一侧相对的第二侧上。
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