[发明专利]一种氟化钙晶体表面清洗方法有效
| 申请号： | 201710070812.7 | 申请日： | 2017-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN106944884B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 马彬;王可;张莉;程鑫彬;王占山;江浩;苏静;崔勇 | 申请（专利权）人： | 同济大学;上海天粹自动化设备有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B08B3/12 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人： | 翁惠瑜 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氟化钙晶体表面清洗方法，包括以下步骤利用CeO2抛光颗粒在沥青盘上对氟化钙晶体进行低速低压力抛光，氟化钙晶体表面粗糙度<0.5nm时结束抛光；抛光结束后的15分钟内，对氟化钙晶体进行多频超声‑兆声复合频率清洗；利用磁流变技术对氟化钙晶体进行磁流变刻蚀；对刻蚀后的氟化钙晶体进行多频超声‑兆声复合频率清洗；利用SiO2胶体在聚氨酯抛光垫上对氟化钙晶体进行低速低压力的二次抛光，氟化钙晶体表面粗糙度<0.2nm时结束抛光，所述SiO2胶体的粒径小于CeO2抛光颗粒的粒径；对二次抛光后的氟化钙晶体进行多频超声‑兆声复合频率清洗。与现有技术相比，本发明具有工艺针对性强、效果明显等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氟化钙 晶体 表面 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种氟化钙晶体表面清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：1)利用CeO2抛光颗粒在沥青盘上对氟化钙晶体进行抛光，抛光时，转速不超过15转/分钟，表面压强不超过200千帕，氟化钙晶体表面粗糙度<0.5nm时结束抛光；2)抛光结束后的15分钟内，对氟化钙晶体进行多频超声‑兆声复合频率清洗；3)利用磁流变技术对氟化钙晶体进行磁流变刻蚀；4)对刻蚀后的氟化钙晶体进行多频超声‑兆声复合频率清洗；5)利用SiO2胶体在聚氨酯抛光垫上对氟化钙晶体进行低速低压力的二次抛光，氟化钙晶体表面粗糙度<0.2nm时结束抛光，所述SiO2胶体的粒径小于CeO2抛光颗粒的粒径；6)对二次抛光后的氟化钙晶体进行多频超声‑兆声复合频率清洗。
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