[发明专利]一种外延生长钇铁石榴石纳米薄膜的方法有效
| 申请号： | 201710070951.X | 申请日： | 2017-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN106887329B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 杨金波;付建波;王常生;刘顺荃;杜红林;韩景智 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01F41/18 | 分类号： | H01F41/18;H01F41/30 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 邱晓锋 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种外延生长具有垂直磁各向异性的钇铁石榴石纳米薄膜的方法，该方法首先在衬底上外延生长一缓冲层，然后在所述缓冲层上外延生长钇铁石榴石纳米薄膜。所述缓冲层为晶格常数介于衬底和钇铁石榴石之间的材料，如钐镓石榴石等。衬底可以采用掺杂替代的钆镓石榴石。进一步可以在所述钇铁石榴石纳米薄膜上再外延生长一层晶格常数大于钇铁石榴石的材料，以加大垂直方向的应变程度。本发明利用缓冲层克服了面内的应力驰豫问题，获得了较高的诱导磁各向异性，最终获得了具有垂直磁各向异性的高质量外延钇铁石榴石纳米薄膜。对于磁光器件，微波和自旋电子学器件的研究和应用具有重大的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 具有 垂直 各向异性 铁石 纳米 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种外延生长具有垂直磁各向异性的钇铁石榴石纳米薄膜的方法，其特征在于，首先在衬底上外延生长一缓冲层，然后在所述缓冲层上外延生长钇铁石榴石纳米薄膜；所述衬底为掺杂替代的钆镓石榴石，所述缓冲层为钐镓石榴石；所述缓冲层的厚度为1～4nm。
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