[发明专利]一种兰格耦合器生产工艺

摘要

本发明公开了一种兰格耦合器生产工艺，它包括指线加宽电镀工艺和指线金丝压点键合工艺，指线加宽电镀工艺首先在清洗洁净的陶瓷基片上镀指线，然后在指线的金丝压点位置再加宽电镀，在加宽的指线位置进行金丝引线键合，通过调控压力、温度、时间等键和参数使金丝压点牢固连接兰格耦合器的相应指线。本发明工艺简单，成本低，焊接可靠性高，通过控制金丝的数量和金丝跨接的拱高等调节兰格耦合器的微波特性，应用本发明的工艺组合参数制作的兰格耦合器用于放大器设计，能稳定工作在50W条件下，在6‑18GHz内输入输出驻波小于1.4dB，带内损耗小于0.35dB，表现出了优异的指标性能。

主权项

1.一种兰格耦合器生产工艺，其特征在于：它包括指线加宽电镀工艺和指线金丝压点键合工艺，所述的指线加宽电镀工艺，首先在清洗洁净的陶瓷基片上镀指线，然后在耦合交叉指处设置金丝压点，进行加宽电镀，指条加宽位置用于键合工艺金丝线的连接，所述的加宽电镀包括以下步骤：1.1：配置电镀液，亚硫酸金纳浓度为16.00g/l~17.00g/l，氯化钾浓度为95.00g/l~100.00g/l，柠檬酸钾浓度为130.00g/l~150.00g/l，电镀液PH在7.5‑8.5之间；1.2：金丝压点加宽位置作为电镀阴极，通电，电镀液中的金离子在电位差的作用下移动到金丝压点位置形成镀层，电镀时间在25mins~30mins之间，通过控制电镀时间来调节指线金丝压点位置的宽度；1.3：加热电镀液，温度在35℃~40℃之间，使用玻璃棒轻微搅动金丝压点位置，通过温度控制仪控制温度在35℃~40℃范围内，保持在该区间温度范围下反应25mins~30mins，实现金丝压点位置的指线加宽；所述的金丝压点键合工艺，包括以下步骤：2.1：使用键合设备对准指线加宽位置的金丝压点位置，下降搜索焊盘，对准金丝压点，控制焊盘与劈刀之间的高度为1mm~2mm；2.2：开启超声振动，超声功率在80w~100w之间调节，超声时间200ms~300ms之间，金丝超过劈刀的伸出部分在超声振动的作用下变成熔融状态的金球，大小为金丝压点宽度±1μm，通过温度控制仪保持温度在210℃~230℃之间，下降劈刀接触焊盘，按压，保持按压时间200ms~300ms，形成第一金丝压点；2.3：在劈刀接触焊盘并进行按压动作后，加大超声功率，加大部分的超声功率幅度区间为20w~30w，用于增强振动作用促使金原子扩散，保持加大后的超声功率时间45ms~50ms，从而实现与第一金丝压点牢固连接；2.4：在第一金丝压点牢固连接后，反向拉升劈刀，拉升高度为0.1~0.2mm，调节劈刀与垂直方向的夹角，该夹角在35度~40度之间时开始移动劈刀，劈刀在第一金丝压点与第二金丝压点之间的移动轨迹保持与水平方向的夹角在30度~45度之间，第一金丝压点与第二金丝压点之间的跨距在0.5mm~0.8mm之间，在劈刀对准第二金丝压点之后，垂直下降劈刀接触焊盘，按压，保持按压时间200ms~300ms，形成第二金丝压点，第一金丝压点与第二金丝压点之间的拱形结构高度在20μm~40μm之间。