[发明专利]应用于集成电路的输入过压保护电路有效
| 申请号： | 201710072195.4 | 申请日： | 2017-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN106655109B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李志林;谭磊;王宇 | 申请（专利权）人： | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/20 | 分类号： | H02H7/20;H02H3/20;H02H3/06 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吴小灿 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 应用于集成电路的输入过压保护电路，通过外置于集成电路芯片的MOS开关管断开高压以避免高压直接输入而损坏芯片内部电路，从而实现芯片内部电路的过压保护，其特征在于，包括集成电路芯片，所述集成电路芯片中具有受保护芯片电路，所述集成电路芯片的外部设置有外置过压保护MOS开关管，所述外置过压保护MOS开关管位于外部输入电压端与受保护芯片电路供电电压端之间。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 集成电路 输入 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.应用于集成电路的输入过压保护电路，其特征在于，包括集成电路芯片，所述集成电路芯片中具有受保护芯片电路，所述集成电路芯片的外部设置有外置过压保护MOS开关管，所述外置过压保护MOS开关管位于外部输入电压端与受保护芯片电路供电电压端之间；所述外置过压保护MOS开关管为第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极连接外部输入电压端，所述第三NMOS管的源极连接受保护芯片电路供电电压端，所述第三NMOS管的栅极通过第一电容接地；所述第三NMOS管的栅极通过第一电阻连接所述第三NMOS管的漏极；所述集成电路芯片中包括第一NMOS管、第二NMOS管和第一倒相放大器；所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极均连接所述第三NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的源极连接所述受保护芯片电路供电电压端，所述第一NMOS管的栅极通过第一倒相放大器连接所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的栅极接收所述受保护芯片电路输出的过压控制信号，所述第二NMOS管的源极连接受保护芯片电路中升压电路。
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