[发明专利]鳍式晶体管的源漏区中的共形缓冲层在审
| 申请号： | 201710072607.4 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN107068760A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | C·D·谢拉弗;裴成文;E·T·哈利;柯玥;亨利·K·乌托摩;Y·杨;任志斌 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种鳍式晶体管的源漏区中的共形缓冲层，其提供鳍式晶体管制造方法及结构，包括例如设置至少部分延伸于鳍片上方的栅极结构，该鳍片延伸于衬底结构上方，该栅极结构邻近该鳍片的至少一个区域设置；在该栅极结构上方及该鳍片的该至少一个区域上方共形设置保护膜；改性位于该鳍片的该至少一个区域上方的该保护膜以形成共形缓冲层，其中，该改性选择性改变位于该至少一个区域上方的该保护膜的结晶结构，从而使其成为该共形缓冲层，而不改变设于该栅极结构上方的该保护膜的该结晶结构；以及移除位于该栅极结构上方的该未被改变的保护膜，而保留位于该至少一个区域上方的该共形缓冲层，以形成该鳍式晶体管的源区及漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 源漏区 中的 缓冲 | ||
【主权项】：
一种制造鳍式晶体管的方法，包括：设置至少部分延伸于鳍片上方的栅极结构，该鳍片延伸于衬底结构上方，该栅极结构邻近该鳍片的至少一个区域设置；在该栅极结构上方及该鳍片的该至少一个区域上方共形设置保护膜；改性位于该鳍片的该至少一个区域上方的该保护膜以形成共形缓冲层，其中，该改性选择性改变位于该至少一个区域上方的该保护膜的结晶结构，从而使其成为该共形缓冲层，而不改变设于该栅极结构上方的该保护膜的该结晶结构；以及移除位于该栅极结构上方的该未被改变的保护膜，而保留位于该至少一个区域上方的该共形缓冲层，以形成该鳍式晶体管的源区及漏区的至少其中一个。
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