[发明专利]激光退火装置及其退火方法有效
申请号: | 201710074444.3 | 申请日: | 2017-02-10 |
公开(公告)号: | CN108406088B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 罗闻;周畅;徐建旭 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/324;B23K26/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种激光退火装置及其退火方法,包括载片台、主要由预热激光光源系统和退火光学系统组成的激光光源系统、激光调节系统、测量系统、载片台移动系统以及中央控制系统,能够实现入射光束到待退火工件表面的入射角度在一定范围内可调以及光斑位置的移动,并通过载片台移动系统的调节来补偿激光调节系统的调节,使得待退火工件的退火面必须始终保持在入射光束的公共焦面内,确保退火能量的一致性;通过测量系统的测量结果能够通过中央控制系统的控制而反馈到载片台移动系统或激光调节系统的调节中,使退火过程工作在最佳的状态;此外,在载片台上设置工件保护环,既可以有效保护载片台免受退火激光光束损坏,又可以获得最大退火面积。 | ||
搜索关键词: | 激光 退火 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种激光退火装置,其特征在于,包括:载片台,用于承载待退火工件;激光光源系统,设置于所述载片台上方,包括预热激光光源系统和退火激光光源系统,用于先后输出预热激光光束和退火激光光束至所述待退火工件表面,其中,所述预热激光光束和退火激光光束分别入射到所述待退火工件表面形成的光斑的各自焦面的重叠部分称为公共焦面;激光调节系统,分别与所述预热激光光源系统和退火激光光源系统连接,用于对所述预热激光光束和退火激光光束的入射角度和形成的光斑进行调整;测量系统,设置于所述载片台上方,至少用于对所述待退火工件进行姿态测量以及分别对所述预热激光光束和退火激光光束在所述待退火工件表面的反射率、形成的光斑的焦面进行测量;载片台移动系统,连接所述载片台,用于调整所述载片台以调整所述待退火工件的姿态,使所述待退火工件表面相对所述预热激光光束和退火激光光束形成的光斑移动,以补偿所述激光调节系统的调节,确保所述待退火工件的退火面始终保持在所述预热激光光束和退火激光光束的公共焦面内;中央控制系统,分别与所述激光光源系统、激光调节系统、测量系统以及载片台移动系统连接,接收所述激光光源系统、激光调节系统、测量系统以及载片台移动系统的数据信息,并对激光光源系统、激光调节系统、测量系统和载片台移动系统进行控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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