[发明专利]用于长波光通信的光电探测器及制备方法

摘要

本发明涉及一种用于长波光通信的光电探测器及其制备方法，其中，所述制备方法包括选取N型Si或SOI衬底；在所述衬底上生长Ge缓冲层；在所述Ge缓冲层上生长N型GeSn缓冲层；在所述GeSn缓冲层上生长GeSn/Ge多量子阱有源层；在所述GeSn/Ge多量子阱有源层上生长GeSn接触层；在所述GeSn接触层上采用等离子体化学气相沉积工艺生长SiO2；光刻引线以制备所述光电探测器。本发明制备的用于长波光通信的光电探测器测器兼容Si CMOS工艺，克服了暗电流大，低于1800nm连续波段探测问题，高效，且能够在GeSn量子阱中引入不同的应变，调节量子阱的带隙结构以扩展光电探测器的吸收波长范围和吸收系数。

主权项

一种用于长波光通信的光电探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：(a)选取N型Si或SOI衬底；(b)在所述衬底上生长Ge缓冲层；(c)在所述Ge缓冲层上生长N型GeSn缓冲层；(d)在所述GeSn缓冲层上生长GeSn/Ge多量子阱有源层；(e)在所述GeSn/Ge多量子阱有源层上生长GeSn接触层；(f)在所述GeSn接触层上采用等离子体化学气相沉积工艺生长SiO2；(g)光刻引线以制备所述光电探测器。