[发明专利]探测范围可调的IV族红外光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710074466.X | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN106784075B | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 胡辉勇;吴继宝;舒斌;李露;刘伟;范林西;陶春阳;王斌;张鹤鸣;宋建军 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司44393 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种探测范围可调的IV族红外光电探测器及其制备方法。所述制备方法包括步骤(a)选取N型Ge衬底；(b)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述N型Ge衬底上形成N型GeSiSn缓冲层；(c)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述N型GeSiSn缓冲层上形成所述Ge/GeSiSn量子阱结构；(d)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述Ge/GeSiSn量子阱结构上形成P型Ge接触层；(e)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述P型Ge接触层上形成SiO2层；(f)金属化并光刻引线形成所述红外光电探测器。本发明实施例制备并提供探测范围可调的IV族红外光电探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 探测 范围 可调 iv 红外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种探测范围可调的IV族红外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述红外光电探测器包括Ge/GeSiSn量子阱结构，所述制备方法包括步骤：(a)选取N型Ge衬底；(b)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述N型Ge衬底上形成N型GeSiSn缓冲层；(c)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述N型GeSiSn缓冲层上形成所述Ge/GeSiSn量子阱结构；(d)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述Ge/GeSiSn量子阱结构上形成P型Ge接触层；(e)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述P型Ge接触层上形成氧化层；(f)金属化并光刻引线形成所述红外光电探测器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710074466.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：重复利用来自费‑托反应器的水的饱和器和方法
- 下一篇：波形瓦状的太阳能板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
