[发明专利]一种高速扫描隧穿显微镜测绝缘样品膜厚形貌缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种高速扫描隧穿显微镜测绝缘样品膜厚形貌缺陷的方法，包括恒高模式扫描隧道显微镜系统及位于该恒高模式扫描隧道显微镜系统导电电极与导电针尖之间的电介质样品，当电介质样品的介电常数大于电介质样品与针尖间辅助电介质的介电常数、且所述的导电针尖与电介质样品间的相对扫描速度v≥2.26×1010ir(h+d)/(Ubεrr)、扫描隧道显微镜前置放大电路带宽fB≥v/20r＝1.13×109ir(h+d)/(Ubεrr2)时，则电介质样品的膜厚、表面形貌、膜内损伤及电介质样品与导电电极间界面的结合特性能够被方便快捷地探测出来。

主权项

一种高速扫描隧穿显微镜测绝缘样品膜厚形貌缺陷的方法，包括恒高模式扫描隧道显微镜系统、电介质样品及该电介质样品的导电电极，其特征在于：所述的导电探针与电介质样品间的相对扫描速度v≥2.26×1010ir(h+d)/(Ubεrr)，恒高模式扫描隧道显微镜系统的前置放大电路带宽fB≥1.13×109ir(h+d)/(Ubεrr2)，该电介质样品的膜厚、表面形貌、膜内损伤及电介质样品与导电电极间界面的结合特性能够被探测出来，其中ir为恒高模式扫描隧道显微镜系统前置放大电路的最小可识别电流，h为电介质样品表面的起伏高度，且以电介质样品表面的起伏为正、电介质样品内部的起伏为负，d为除去电介质样品表面起伏后的本底厚度，Ub为所述恒高模式扫描隧道显微镜系统的偏置电压，εr为电介质样品的相对介电常数，r为导电探针和电介质样品信息的横向曲率半径。