[发明专利]一种用于GaNHEMT芯片生产中通孔的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201710075356.5 | 申请日： | 2017-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN106910711A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 孙丞;杨荣;李宝国;张达泉;张书敬;韩威;马京路 | 申请（专利权）人： | 苏州本然微电子有限公司;河北远东通信系统工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/335;H01L21/3065;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司11429 | 代理人： | 杨乐 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及GaN HEMT芯片生产制造领域，特别是涉及一种用于GaN HEMT芯片生产中通孔的刻蚀方法，包括如下步骤(1)在SiC衬底背面，溅射或者蒸发第一层易腐蚀金属；(2)在SiC衬底背面进行通孔图形光刻，采用腐蚀液浸泡晶圆，去除通孔中的第一层易腐蚀金属，随后去除晶圆表面的光刻胶；(3)在第一层易腐蚀金属的正面，电镀第二层易腐蚀金属，将整个金属层加厚；(4)使用等离子刻蚀通孔，直到刻蚀完SiC衬底，露出正面源电极；(5)使用腐蚀液将所述第一层易腐蚀金属和第二层易腐蚀金属腐蚀掉。本发明采用金属作为刻蚀的阻挡层，可以有效地阻挡等离子体的轰击刻蚀，为GaN HEMT器件结构设计提供更多可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 ganhemt 芯片 生产 中通孔 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种用于GaN HEMT芯片生产中通孔的刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)在SiC衬底背面，溅射或者蒸发第一层易腐蚀金属；(2)在SiC衬底背面进行通孔图形光刻，采用腐蚀液浸泡晶圆，去除通孔中的第一层易腐蚀金属，随后去除晶圆表面的光刻胶；(3)在第一层易腐蚀金属的正面，电镀第二层易腐蚀金属，将整个金属层加厚；(4)使用等离子刻蚀通孔，直到刻蚀完SiC衬底，露出正面源电极；(5)使用腐蚀液将所述第一层易腐蚀金属和第二层易腐蚀金属腐蚀掉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
