[发明专利]一种抗电磁干扰的黑磷烯基阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710076169.9 | 申请日： | 2017-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN106887518A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王海燕 | 申请（专利权）人： | 东莞市佳乾新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抗电磁干扰的黑磷烯基阻变存储器及其制备方法，该黑磷烯基阻变存储器从下至上依次包括衬底、Ti3C2ene薄膜底电极层、黑磷烯薄膜阻变功能层、Ti3C2ene薄膜顶电极层和披覆层，具体制备方法为清洗衬底，在基底材料上转移Ti3C2ene薄膜材料底电极层，然后覆盖黑磷烯薄膜阻变功能层，再转移Ti3C2ene薄膜材料，利用光刻胶的光学曝光和显影处理获得顶电极图形，经感应耦合等离子体刻蚀得到Ti3C2ene薄膜顶电极层，得到存储器单元；最后光刻胶的光学曝光、显影和剥离形成披覆层图形，使用原子层沉积技术在光刻胶层上沉积披覆层，得到抗电磁干扰的黑磷烯基阻变存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电磁 干扰 黑磷 烯基阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗电磁干扰的黑磷烯基阻变存储器，其特征在于：所述抗电磁干扰的黑磷烯基阻变存储器从下至上依次包括衬底、底电极层、阻变功能层、顶电极层和披覆层，所述阻变功能层为黑磷烯薄膜层，所述阻变功能层部分被顶电极层覆盖，剩余部分被披覆层覆盖，所述底电极层和顶电极层为电磁屏蔽材料，所述电磁屏蔽材料为二维金属碳化物Ti3C2ene薄膜。
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