[发明专利]一种基于磷化铟阻变材料的阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于磷化铟阻变材料的阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括铂底电极、掺杂S和Fe的磷化铟阻变材料和银顶电极，制备方法为以表面沉积铂金属的绝缘无机材料作为基片，采用脉冲激光技术，在基片表面沉积磷化铟薄膜，形成磷化铟阻变材料，然后在磷化铟阻变材料的表面覆盖硬掩膜版，采用磁控溅射技术，沉积银电极层，去除掩膜版，得到基于磷化铟阻变材料的阻变存储器。本发明还对磷化铟单晶片及其利用脉冲激光技术沉积磷化铟薄膜的制备方法进行限制，保证了阻变存储器中磷化铟阻变材料的一致性和稳定性，使阻变存储器具有存储窗口宽，数据保持时间长，耐久性高的特点。

主权项

一种基于磷化铟阻变材料的阻变存储器，其特征在于：所述基于磷化铟阻变材料的阻变存储器包括底电极、阻变材料和顶电极，所述底电极为铂电极层，阻变材料为磷化铟阻变材料，顶电极为银电极层，所述磷化铟由磷化铟单晶片经脉冲激光技术得到磷化铟薄膜，所述磷化铟单晶片中掺杂S和Fe。