[发明专利]III族氮化物半导体及其制造方法有效
| 申请号： | 201710077426.0 | 申请日： | 2017-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN107227490B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 石桥明彦;上田章雄 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的课题在于得到高品质的包含III族氮化物结晶的III族氮化物半导体。所述III族氮化物半导体具有：包含通式RAMO |
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| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体，其具有：包含通式RAMO4所表示的单晶体的RAMO4基板，通式RAMO4中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一个或多个二价元素；在所述RAMO4基板上形成、由不同于所述RAMO4基板的材料构成、且具有多个开口的异种膜；和在所述异种膜上和所述异种膜的开口内形成、由不同于所述异种膜的材料构成、且含有所述通式中M表示的元素的III族氮化物结晶。
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