[发明专利]航天器用母线欠压保护可控恢复电路

摘要

本发明公开了一种母线欠压保护可控恢复电路，其中，欠压保护电路(2)用于对欠压保护比较基准V1和母线电压采样值V2进行比较，根据比较结果向浪涌抑制电路(3)送出开关控制信号；开关机控制电路(1)根据开关机指令和欠压保护电路提供的开机基准电压和关机基准电压，向浪涌抑制电路(3)送出开关控制信号；浪涌抑制电路(3)作用一是接受开关机控制电路(1)、欠压保护电路(2)产生的信号控制母线的通断，作用二是当母线接通后，对后级电路产生的浪涌电流进行抑制。使用本发明，母线掉电用电设备关机，母线恢复正常后，用电设备不能自启动开机，必须由指令控制才能开机，保证了用电设备的安全。

主权项

1.一种航天器用母线欠压保护可控恢复电路，其特征在于，包括：开关机控制电路(1)、欠压保护电路(2)和浪涌抑制电路(3)；欠压保护电路(2)采用接成正反馈的运算放大器N1A对欠压保护比较基准V1和母线电压采样值V2进行比较，运算放大器N1A将比较结果通过反接的隔离二极管D5接入浪涌抑制电路(3)；输出电平V3经分压后作为开关机控制电路(1)的关机比较基准V4；欠压保护比较基准V1经分压后作为开关机控制电路(1)的开机比较基准V5；开关机控制电路(1)采用接成正反馈的运算放大器N1B，运算放大器N1B的反相端除了接开机比较基准V5还进一步连接开机使能端，正相端除了接关机比较基准V4还进一步连接关机使能端；运算放大器N1B将V4与V5的比较结果通过反接的隔离二极管D4也接入浪涌抑制电路(3)；浪涌抑制电路(3)采用MOSFET管VM1实现浪涌抑制，且MOSFET管VM1的中栅极耦接开关机控制电路(1)和欠压保护电路(2)中的隔离二极管D4和D5，仅当隔离二极管D4和D5同时反偏时，MOSFET管VM1处于导通状态，母线电压施加于用电设备。