[发明专利]氮化镓半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710078169.2 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN108428741B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L21/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市唐家湾镇港湾大*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种氮化镓半导体器件及其制作方法，该方法包括：在基底的第一表面生长含铟的缓冲层，该缓冲层包括含铟的AlxGa1‑xN层，其中，0≤x≤1；在缓冲层背离基底一侧表面形成非有意掺杂的第一氮化镓层；在第一氮化镓层背离缓冲层一侧表面形成含碳掺杂的第二氮化镓层；在第二氮化镓层背离第一氮化镓层一侧形成非有意掺杂的第三氮化镓层；在第三氮化镓层背离第二氮化镓层一侧形成AlyGaN1‑yN层，其中，0＜y≤1。利用该方法制作的氮化镓半导体器件可提高所述氮化镓半导体器件的击穿电压，降低所述氮化镓半导体器件在制作过程中，出现裂纹的概率，提高所述氮化镓半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：在基底的第一表面生长含铟的缓冲层，所述缓冲层包括含铟的AlxGa1‑xN层，其中，0≤x≤1；在所述缓冲层背离所述基底一侧表面形成非有意掺杂的第一氮化镓层；在所述第一氮化镓层背离所述缓冲层一侧表面形成含碳掺杂的第二氮化镓层；在所述第二氮化镓层背离所述第一氮化镓层一侧形成非有意掺杂的第三氮化镓层；在所述第三氮化镓层背离所述第二氮化镓层一侧形成AlyGaN1‑yN层，其中，0＜y≤1。
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