[发明专利]一种半导体发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710078616.4 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN106848013B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;王星河;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 郑锦坚 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/22;H01L33/26;H01L33/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光二极管及其制作方法，其公开的结构以及采用该制作方法制作的半导体发光二极管能够提升发光效率和发光强度。为了达到上述目的，本发明公开的一种半导体发光二极管包括衬底，缓冲层，第一导电型的第一半导体层，多量子阱具有V形坑的有源层，多周期的Al量子点/AlN纳米柱/Ga量子点/GaN纳米柱，以及第二导电型的第二半导体层和接触层；有源层的量子阱下表面、中心、上表面对应的V形坑位置具有Al量子点/AlN纳米柱/Ga量子点，其每周期厚度与量子阱层厚度相同；量子阱的垒层对应V形坑位置具有GaN纳米柱，其每周期的厚度与垒层相同。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光二极管，其特征在于：包括衬底、缓冲层、第一导电型的第一半导体层、具有V形坑多量子阱的有源层，多周期的Al量子点、AlN纳米柱、Ga量子点、GaN纳米柱，以及第二导电型的第二半导体层和第二导电型的接触层；有源层的量子阱的阱层下表面、中心、上表面对应的V形坑位置分别具有Al量子点、AlN纳米柱、Ga量子点，有源层的量子阱的垒层对应V形坑位置具有GaN纳米柱，V形坑形成多周期的Al量子点、AlN纳米柱、Ga量子点、GaN纳米柱；所述的AlN纳米柱的宽度保持不变，GaN纳米柱的宽度随周期变多而变大，从而与V形坑的形态相匹配且不与V形坑斜面接触，形成长短结合的GaN纳米柱、AlN纳米柱。
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