[发明专利]提高外延片片内电阻率均匀性的方法在审
| 申请号： | 201710078668.1 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN106876246A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 贾松;张绪刚;陈秉克;赵丽霞;袁肇耿;薛宏伟;侯志义;张志勤;吴会旺;周晓龙 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高外延片片内电阻率均匀性的方法，涉及硅衬底外延层的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤利用高纯度的氯化氢气体在高温下对外延炉基座进行腐蚀；向外延炉基座片坑内装入硅衬底片，外延炉升温过程中利用高纯度的氢气吹扫外延炉腔体，直到达到设定的温度；恒温5 min以上；外延炉升温至设定温度后进行大流量变流量吹扫，气体流量设定为100‑‑400L/min，时间大于4 min；将外延炉降温到外延生长温度，进行硅衬底片的外延生长。所述方法可使外延片片内电阻率更均匀，成品率极大提升，且SRP曲线轮廓一致性有较大的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 外延 片片 电阻率 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种提高外延片片内电阻率均匀性的方法，其特征在于包括如下步骤：向外延炉基座片坑内装入硅衬底片，外延炉升温过程中利用高纯度的氢气吹扫外延炉腔体，气体流量设定为130 L/min ‑400L/min，直到达到设定的温度，所述设定的温度为外延炉外延生长温度之上5℃‑10℃；恒温5 min以上，使As杂质充分挥发；外延炉升温至设定温度后进行大流量变流量吹扫，气体流量设定为100‑‑400L/min，时间大于4 min；将外延炉降温到外延生长温度，进行硅衬底片的外延生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
