[发明专利]金属硅化物及金属硅化物上接触孔的制造方法

摘要

本发明提供一种金属硅化物及金属硅化物上接触孔的制造方法，通过分别采用第一清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第一次后清洗处理，以去除所述第二相金属硅化物表面未反应的第一相金属硅化物以及未反应的金属，并采用第二清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第二次后清洗处理并干燥，以去除第一次后清洗工艺在所述第二相金属硅化物表面形成的球形形貌缺陷，使所述第二相金属硅化物表面形貌平整，均匀性良好，进而在接触孔刻蚀时不会出现刻蚀空洞或刻蚀不到位的情况，从而减少甚至避免了接触孔桥接或接触孔堵塞断路等缺陷，大大提高了产品良率。

主权项

一种金属硅化物的制造方法，其特征在于，包括：提供一表面具有暴露出的硅区域的半导体衬底，在所述半导体衬底表面上沉积金属层；对所述半导体衬底及所述金属层进行第一次退火，使得金属层中的金属与所述硅区域中的硅反应形成第一相金属硅化物；去除所述半导体衬底表面上未反应的金属层以及多余的第一相金属硅化物；采用高于所述第一次退火的温度对所述半导体衬底及剩余的第一相金属硅化物进行第二次退火，使得所述第一相金属硅化物转变为电阻率降低的第二相金属硅化物；采用第一清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第一次后清洗；采用第二清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第二次后清洗并干燥。