[发明专利]一种改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法在审
| 申请号： | 201710079129.X | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN106601608A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 陈宏;王哲献;徐涛;曹子贵;王卉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法，包括第一步骤在存储器单元的栅极结构侧壁上形成浮栅隔离侧墙；第二步骤对所述浮栅隔离侧墙进行湿法浸渍处理；第三步骤在栅极结构之间沉积多晶硅材料；第四步骤对沉积的多晶硅材料进行化学机械研磨。在本发明中，在存储器单元字线化学机械研磨工艺之前，由于对所述浮栅隔离侧墙进行湿法浸渍处理以降低了所述浮栅隔离侧墙的高度，因此能够有效地改善字线关键尺寸较小的情况下的存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 存储器 单元 化学 机械 研磨 工艺 窗口 方法 | ||
【主权项】：
一种改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法，其特征在于包括：第一步骤：在存储器单元的栅极结构侧壁上形成浮栅隔离侧墙；第二步骤：对所述浮栅隔离侧墙进行湿法浸渍处理；第三步骤：在栅极结构之间沉积多晶硅材料；第四步骤：对沉积的多晶硅材料进行化学机械研磨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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