[发明专利]一种半导体发光二极管的结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710079191.9 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN106848014B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;王星河;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 郑锦坚 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光二极管的结构及其制作方法，其结构以及采用该制作方法制作的半导体发光二极管能够提升光提取效应，提升发光效率；本发明公开的一种半导体发光二极管的结构在第一、第二有源层的V形坑连接界面具有第一纳米锥；第二有源层的每对量子阱界面位置对应的V形坑斜面具有磁性纳米颗粒，第二有源层的每对量子阱界面位置对应的第一纳米锥中心具有第一金属纳米颗粒；V形坑与第一纳米锥间隙填充透明隔离层，其上方沉积第一电子阻挡层，第一p型半导体层、第二p型半导体层；第一纳米锥的高度高于第二p型半导体层，高于第二p型半导体的第一纳米锥斜面具有第二纳米锥，第二纳米锥的底部和顶端具有第二金属纳米颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光二极管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光二极管的结构，包括衬底，缓冲层，n型半导体层，具有多量子阱的第一有源层、第二有源层及其形成的V形坑，以及第一有源层、第二有源层的V形坑界面的第一纳米锥；V形坑斜面、第一纳米锥的斜面具有一层与第一p型半导体层连接的导电通道；所述第二有源层的每对量子阱界面位置对应的V形坑斜面具有磁性纳米颗粒，第二有源层的每对量子阱界面位置对应的第一纳米锥中心具有第一金属纳米颗粒；所述的V形坑与第一纳米锥间隙填充透明隔离层，透明隔离层上方沉积第一电子阻挡层，第一p型半导体层和第二p型半导体层；所述第一纳米锥的高度高于第二p型半导体层，高于第二p型半导体层的第一纳米锥斜面具有第二金属纳米颗粒及相连的第二纳米锥，第二纳米锥的底部和顶端具有第二金属纳米颗粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑锦坚，未经郑锦坚许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710079191.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
