[发明专利]一种改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法有效
| 申请号： | 201710079403.3 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN106783586B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陈宏;曹子贵;王哲献;王卉;徐涛 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L27/11526 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法，包括：第一步骤：形成具有存储器单元字线的半导体结构；第二步骤：对半导体结构执行化学机械研磨处理；第三步骤：在半导体结构上形成硬掩膜层；第四步骤：对硬掩膜层进行刻蚀，从而在暴露的浮栅隔离侧墙上形成硬掩膜覆盖物。在本发明中，在存储器单元字线化学机械研磨工艺暴露浮栅隔离侧墙氮化硅的情况下，由于在暴露的浮栅隔离侧墙上形成硬掩膜覆盖物，从而防止浮栅隔离侧墙被诸如磷酸之类的溶液腐蚀，因此能够有效地改善字线关键尺寸较小的情况下的存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 存储器 单元 化学 机械 研磨 工艺 窗口 方法 | ||
【主权项】：
一种改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法，其特征在于包括：第一步骤：形成具有存储器单元字线的半导体结构；第二步骤：对半导体结构执行化学机械研磨处理；第三步骤：在半导体结构上形成硬掩膜层；第四步骤：对硬掩膜层进行刻蚀，从而在暴露的浮栅隔离侧墙上形成硬掩膜覆盖物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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