[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201710079574.6 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN107154425A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 松浦仁 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置。线状有源单元区域由在第二方向(y方向)上彼此间隔开布置的多个分开的有源单元区域形成。线状空穴集电极单元区域由在第二方向(y方向)上彼此间隔开布置的多个分开的空穴集电极单元区域形成。在第一方向(x方向)上彼此相邻的线状有源单元区域和线状空穴集电极单元区域之间、在第二方向(y方向)上彼此相邻的分开的有源单元区域之间以及在第二方向(y方向)上彼此相邻的分开的空穴集电极单元区域之间的半导体衬底中形成P型浮置区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体衬底，具有第一主表面和在所述第一主表面的相对侧的第二主表面；和单元区域，其中在平面视图中在所述半导体衬底的所述第一主表面侧，线状有源单元区域和线状空穴集电极单元区域在第一方向上彼此间隔开地交替地布置，其中所述线状有源单元区域由在与所述第一方向正交的第二方向上彼此间隔开布置的多个分开的有源单元区域形成，其中每个分开的有源单元区域具有第一沟槽，围绕所述分开的有源单元区域的外围、设置有从所述第一主表面起的第一深度，第一沟槽栅极电极，隔着第一栅极绝缘膜布置在第一沟槽内部，第一导电类型的第一体区域，在所述分开的有源单元区域中、设置有从所述第一主表面起的第二深度，和与所述第一导电类型不同的第二导电类型的发射极区域，在所述分开的有源单元区域中、设置有从所述第一主表面起比第二深度深的第三深度，其中所述线状空穴集电极单元区域由在所述第二方向上彼此间隔开布置的多个分开的空穴集电极单元区域形成，其中所述分开的空穴集电极单元区域具有第二沟槽，围绕所述分开的空穴集电极单元区域的外围、设置有从所述第一主表面起的第四深度，第二沟槽栅极电极，隔着第二栅极绝缘膜设置在所述第二沟槽内部，以及第一导电类型的第二主体区域，在所述分开的空穴集电极单元区域中设置有从所述第一主表面起的第五深度，以及其中在第一方向上彼此相邻的所述线状有源单元区域和所述线状空穴集电极单元区域之间、在第二方向上彼此相邻的分开的有源单元区域之间以及在第二方向上彼此相邻的分开的空穴集电极单元区域之间的半导体衬底中设置有第一导电类型的浮置区域，所述浮置区域具有从所述第一主表面起比所述第二深度和所述第五深度深的第六深度。
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