[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 201710080698.6 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN107808681B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 岸达也;稻场恒夫;渡边大辅;中山昌彦;尾形诚之;都甲大;相川尚德;小濑木淳一;永濑俊彦;李永民;泽田和也 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘静;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据实施方式，存储装置包括磁阻元件和写入电路，所述磁阻元件包括第1磁性层、第2磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层，所述写入电路控制第1写入和第2写入，使电流脉冲在所述磁阻元件中流动，所述第1写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为平行状态，所述第2写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为反平行状态。所述第1写入所使用的第1脉冲模式与所述第2写入所使用的第2脉冲模式不同。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种存储装置，具备：磁阻元件，其包括第1磁性层、第2磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层；和写入电路，其控制第1写入和第2写入，使电流脉冲在所述磁阻元件中流动，所述第1写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为平行状态，所述第2写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为反平行状态，所述第1写入所使用的第1脉冲模式与所述第2写入所使用的第2脉冲模式不同。
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